收藏本站
型号 IPD068P03L3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IPD068P03L3 G PDF
代理商 IPD068P03L3 G
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 70A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 6.8 毫欧 @ 70A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 91nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 7720pF @ 15V
功率 - 最大 100W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPD068P03L3 G-ND
IPD068P03L3GBTMA1
SP000472988
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPD06N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD06N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD06N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD06N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
IPD06N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
IPD06N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
IPD075N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD075N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD075N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD079N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD079N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD079N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD082N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPD088N04L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD088N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD088N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD088N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD090N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
IPD090N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
IPD090N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3